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据韩国《首尔经济》2月23日中一期货报道，三星电子日前在美国2024年国际固态电路会议（ISSCC）上发布了第六代高带宽内存HBM4研究成果，将进一步提高内存性能，为数据中心、高性能计算和人工智能等领域提供更强大的支持。HBM4技术采用了更先进的制程工艺，使得内存芯片的容量和带宽得到了显著提升。与上一代HBM3技术相比，HBM4的带宽提高了约66%，达到每秒2TB，通过16层堆叠实现48GB容量，保持高性能的同时，还能有效降低功耗。三星电子计划明年推出HBM4内存，以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。